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平板式器件,功率半導體模塊
真空閉管鎵鋁全擴散工藝；引入場門極結構；優(yōu)良的動態(tài)特性；開關損耗低、速度快；平板型陶瓷管殼冷壓封裝；雙面冷卻允許串并聯(lián)；最低允許工作溫度Tjmin=‐40℃。
真空閉管鎵鋁全擴散工藝；引入場門極結構；優(yōu)良的動態(tài)特性，適用頻率2.5KHZ-20KHZ；平板型陶瓷管殼冷壓封裝；雙面冷卻允許串并聯(lián)；最低允許工作溫度Tjmin=‐40℃。
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